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    AFGB40T65SQDN 圖片
    AFGB40T65SQDN
  1. 制造廠(chǎng)商:ON(安森美,ONSEMI)
  2. 類(lèi)別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn) + 接片),TO-263AB
  3. 技術(shù)參數(shù):650V/40A FS4 IGBT TO263 A
  4. (專(zhuān)注銷(xiāo)售ON電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�
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    技術(shù)參數(shù)詳情:
  7. 制造商產(chǎn)品型號(hào):AFGB40T65SQDN
  8. 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,ONSEMI)
  9. 描述:650V/40A FS4 IGBT TO263 A
  10. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  11. 產(chǎn)品系列:Automotive, AEC-Q101
  12. 零件狀態(tài):有源
  13. IGBT類(lèi)型:-
  14. 電壓-集射極擊穿(最大值):650V
  15. 電流-集電極(Ic)(最大值):80A
  16. 電流-集電極脈沖(Icm):160A
  17. 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,40A
  18. 功率-最大值:238W
  19. 開(kāi)關(guān)能量:858μJ(開(kāi)),229μJ(關(guān))
  20. 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)
  21. 柵極電荷:76nC
  22. 25°C時(shí)Td(開(kāi)/關(guān))值:17.6ns/75.2ns
  23. 測(cè)試條件:400V,40A,6 歐姆,15V
  24. 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):131ns
  25. 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  26. 安裝類(lèi)型:表面貼裝型
  27. 封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn) + 接片),TO-263AB
  28. 現(xiàn)在可以訂購(gòu)AFGB40T65SQDN,國(guó)內(nèi)庫(kù)存當(dāng)天發(fā)貨,國(guó)外庫(kù)存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
  29. ON代理商 - 安森美半導(dǎo)體(ON公司)授權(quán)的ON代理商
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