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BSS123L
產(chǎn)品參考圖片
BSS123L
制造廠商:
ON(安森美,ONSEMI)
類別封裝:
晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:SOT-23-3
技術(shù)參數(shù):
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
(專注銷售ON電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�
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技術(shù)參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:BSS123L
制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
產(chǎn)品系列:-
零件狀態(tài):有源
FET類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):100V
25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):170mA(Ta)
驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):6 歐姆 @ 170mA,10V
不同Id時Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):2.5nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):21.5pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):360mW(Ta)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
器件封裝:SOT-23-3
現(xiàn)在可以訂購
BSS123L
,國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
SMMBTA14LT3G
LM293DR2
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LB11685V-MPB-H
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