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EFC6601R-A-TR
產(chǎn)品參考圖片
EFC6601R-A-TR
制造廠商:
ON(安森美,ONSEMI)
類別封裝:
晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:6-XFBGA,F(xiàn)CBGA
技術(shù)參數(shù):
MOSFET 2N-CH EFCP
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技術(shù)參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:EFC6601R-A-TR
制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,ONSEMI)
描述:MOSFET 2N-CH EFCP
系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
產(chǎn)品系列:-
零件狀態(tài):有源
FET類型:2 N 溝道(雙)共漏
FET功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動
漏源電壓(Vdss):-
25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):-
不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):-
不同Id時Vgs(th)(最大值):-
不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):48nC @ 4.5V
不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):-
功率-最大值:2W
工作溫度:150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝:6-XFBGA,F(xiàn)CBGA
現(xiàn)在可以訂購
EFC6601R-A-TR
,國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
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