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FCB199N65S3
產(chǎn)品參考圖片
FCB199N65S3
制造廠商:
ON(安森美,ONSEMI)
類別封裝:
晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè),器件封裝:D2PAK(TO-263)
技術(shù)參數(shù):
MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK
(專注銷售ON電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�
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技術(shù)參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:FCB199N65S3
制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK
系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
產(chǎn)品系列:SuperFET? III
零件狀態(tài):有源
FET類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):650V
25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):14A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):199 毫歐 @ 7A,10V
不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):4.5V @ 1.4mA
不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):30nC @ 10V
Vgs(最大值):±30V
不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):1225pF @ 400V
FET功能:-
功率耗散(最大值):98W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
器件封裝:D2PAK(TO-263)
現(xiàn)在可以訂購
FCB199N65S3
,國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
NTMD4820NR2G
NCP1076BAP130G
MV6351
2SA1707S-AN
FSFR2100XS
LE2432DXATBG
2SA2124-TD-E
NTBV30N20T4G
NCP154MX180280TAG
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