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    ON代理商 > > ON芯片 > > FDB12N50TM
    

    

    

    產(chǎn)品參考圖片
    

    FDB12N50TM 圖片
    

    

    

    

    FDB12N50TM
    

  2. 制造廠商：ON（安森美，ONSEMI）
    3. 

  3. 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：D2PAK
    4. 

  4. 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
    5. 

  5. （專注銷售ON電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�
    6. 

  6. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
    7. 

    

    

    

    點擊下圖下載技術(shù)文檔
    

    FDB12N50TM的技術(shù)資料下載
    

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    全方位電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)鏈管理解決方案，ON（安森美）授權(quán)中國代理商
    

    

    

    

    

    技術(shù)參數(shù)詳情：
    

  7. 制造商產(chǎn)品型號：FDB12N50TM
  8. 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，ONSEMI）
  9. 描述：MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
  10. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  11. 產(chǎn)品系列：UniFET?
  12. 零件狀態(tài)：有源
  13. FET類型：N 通道
  14. 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  15. 漏源電壓（Vdss）：500V
  16. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：11.5A（Tc）
  17. 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  18. 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：650 毫歐 @ 6A，10V
  19. 不同Id時Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
  20. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：30nC @ 10V
  21. Vgs（最大值）：±30V
  22. 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1315pF @ 25V
  23. FET功能：-
  24. 功率耗散（最大值）：165W（Tc）
  25. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  26. 安裝類型：表面貼裝型
  27. 器件封裝：D2PAK
  28. 現(xiàn)在可以訂購FDB12N50TM，國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨，國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
    29. 

    

    


    

    

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