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產(chǎn)品參考圖片
FDB86363-F085
制造廠商:
ON(安森美,ONSEMI)
類別封裝:
晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè),器件封裝:D2PAK(TO-263AB)
技術(shù)參數(shù):
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
(專注銷售ON電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�
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技術(shù)參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:FDB86363-F085
制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
產(chǎn)品系列:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench?
零件狀態(tài):有源
FET類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):80V
25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):110A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):2.4 毫歐 @ 80A,10V
不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):150nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):10000pF @ 40V
FET功能:-
功率耗散(最大值):300W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
器件封裝:D2PAK(TO-263AB)
現(xiàn)在可以訂購
FDB86363-F085
,國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
NCV317MBSTT3G
NCP4687DMX33TCG
NRVBB1060T4G
MC14541BCPG
NLV17SZ125DFT1G
CAT5251WI-00-T1
FDS3590
LM393AN
74ALVC162244G
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