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FDC610PZ
產(chǎn)品參考圖片
FDC610PZ
制造廠商:
ON(安森美,ONSEMI)
類別封裝:
晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:SuperSOT?-6
技術參數(shù):
MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6
(專注銷售ON電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當天發(fā)貨�。�
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技術參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:FDC610PZ
制造商:ON安森美半導體(ON Semiconductor,ONSEMI)
描述:MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6
系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
產(chǎn)品系列:PowerTrench?
零件狀態(tài):有源
FET類型:P 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):30V
25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):4.9A(Ta)
驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):42 毫歐 @ 4.9A,10V
不同Id時Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):24nC @ 10V
Vgs(最大值):±25V
不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1005pF @ 15V
FET功能:-
功率耗散(最大值):1.6W(Ta)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
器件封裝:SuperSOT?-6
現(xiàn)在可以訂購
FDC610PZ
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