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FDC640P_F095
產(chǎn)品參考圖片
FDC640P_F095
制造廠商:
ON(安森美,ONSEMI)
類別封裝:
晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè),器件封裝:SuperSOT?-6
技術(shù)參數(shù):
MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
(專注銷售ON電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�
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技術(shù)參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號(hào):FDC640P_F095
制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,ONSEMI)
描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
產(chǎn)品系列:PowerTrench?
零件狀態(tài):停產(chǎn)
FET類型:P 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):20V
25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):4.5A(Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,4.5V
不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):53 毫歐 @ 4.5A,4.5V
不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):13nC @ 4.5V
Vgs(最大值):±12V
不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):890pF @ 10V
FET功能:-
功率耗散(最大值):1.6W(Ta)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
器件封裝:SuperSOT?-6
現(xiàn)在可以訂購
FDC640P_F095
,國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
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