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    FDS8958B_G 圖片
    FDS8958B_G
  1. 制造廠商:ON(安森美,ONSEMI)
  2. 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
  3. 技術(shù)參數(shù):MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO
  4. (專注銷售ON電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨!)
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    技術(shù)參數(shù)詳情:
  7. 制造商產(chǎn)品型號(hào):FDS8958B_G
  8. 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,ONSEMI)
  9. 描述:MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO
  10. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  11. 產(chǎn)品系列:PowerTrench?
  12. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  13. FET類型:N 和 P 溝道
  14. FET功能:標(biāo)準(zhǔn)
  15. 漏源電壓(Vdss):30V
  16. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):6.4A,4.5A
  17. 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):26 毫歐 @ 6.4A,10V,51 毫歐 @ 4.5A,10V
  18. 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
  19. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):5.8nC @ 4.5V,9.6nC @ 4.5V
  20. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):540pF @ 15V,760pF @ 15V
  21. 功率-最大值:900mW
  22. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  23. 安裝類型:表面貼裝型
  24. 封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
  25. 現(xiàn)在可以訂購FDS8958B_G,國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
  26. ON代理商 - 安森美半導(dǎo)體(ON公司)授權(quán)的ON代理商
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