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FDU8882
產品參考圖片
FDU8882
制造廠商:
ON(安森美,ONSEMI)
類別封裝:
晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:I-PAK
技術參數(shù):
MOSFET N-CH 30V 12.6A/55A IPAK
(專注銷售ON電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當天發(fā)貨�。�
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技術參數(shù)詳情:
制造商產品型號:FDU8882
制造商:ON安森美半導體(ON Semiconductor,ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 30V 12.6A/55A IPAK
系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
產品系列:PowerTrench?
零件狀態(tài):停產
FET類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):30V
25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):12.6A(Ta),55A(Tc)
驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):11.5 毫歐 @ 35A,10V
不同Id時Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):33nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1260pF @ 15V
FET功能:-
功率耗散(最大值):55W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
器件封裝:I-PAK
現(xiàn)在可以訂購
FDU8882
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NGTB15N135IHRWG
UC3842BD1
LM2596DSADJG
BC183LC
NCP1579DR2G
74VHC244MTC
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