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FGB30N6S2D
產(chǎn)品參考圖片
FGB30N6S2D
制造廠商:
ON(安森美,ONSEMI)
類別封裝:
晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
技術參數(shù):
IGBT 600V 45A 167W TO263AB
(專注銷售ON電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當天發(fā)貨�。�
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技術參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:FGB30N6S2D
制造商:ON安森美半導體(ON Semiconductor,ONSEMI)
描述:IGBT 600V 45A 167W TO263AB
系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
產(chǎn)品系列:-
零件狀態(tài):停產(chǎn)
IGBT類型:-
電壓-集射極擊穿(最大值):600V
電流-集電極(Ic)(最大值):45A
電流-集電極脈沖(Icm):108A
不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,12A
功率-最大值:167W
開關能量:55μJ(開),100μJ(關)
輸入類型:標準
柵極電荷:23nC
25°C時Td(開/關)值:6ns/40ns
測試條件:390V,12A,10 歐姆,15V
反向恢復時間(trr):46ns
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
現(xiàn)在可以訂購
FGB30N6S2D
,國內庫存當天發(fā)貨,國外庫存7-10天內發(fā)貨。
NCP502SQ31T2G
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