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    FGD3N60UNDF 圖片
    FGD3N60UNDF
  1. 制造廠商:ON(安森美,ONSEMI)
  2. 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
  3. 技術(shù)參數(shù):IGBT 600V 6A 60W DPAK
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    技術(shù)參數(shù)詳情:
  7. 制造商產(chǎn)品型號:FGD3N60UNDF
  8. 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,ONSEMI)
  9. 描述:IGBT 600V 6A 60W DPAK
  10. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  11. 產(chǎn)品系列:-
  12. 零件狀態(tài):有源
  13. IGBT類型:NPT
  14. 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  15. 電流-集電極(Ic)(最大值):6A
  16. 電流-集電極脈沖(Icm):9A
  17. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.52V @ 15V,3A
  18. 功率-最大值:60W
  19. 開關(guān)能量:52μJ(開),30μJ(關(guān))
  20. 輸入類型:標準
  21. 柵極電荷:1.6nC
  22. 25°C時Td(開/關(guān))值:5.5ns/22ns
  23. 測試條件:400V,3A,10 歐姆,15V
  24. 反向恢復(fù)時間(trr):21ns
  25. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  26. 安裝類型:表面貼裝型
  27. 封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
  28. 現(xiàn)在可以訂購FGD3N60UNDF,國內(nèi)庫存當天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
  29. ON代理商 - 安森美半導(dǎo)體(ON公司)授權(quán)的ON代理商
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