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    產(chǎn)品參考圖片
    FGPF10N60UNDF 圖片
    FGPF10N60UNDF
  1. 制造廠商:ON(安森美,ONSEMI)
  2. 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-220-3 整包
  3. 技術(shù)參數(shù):IGBT 600V 20A 42W TO-220F
  4. (專注銷售ON電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨!)
  5. (您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購(gòu))
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    技術(shù)參數(shù)詳情:
  7. 制造商產(chǎn)品型號(hào):FGPF10N60UNDF
  8. 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,ONSEMI)
  9. 描述:IGBT 600V 20A 42W TO-220F
  10. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  11. 產(chǎn)品系列:-
  12. 零件狀態(tài):最後搶購(gòu)
  13. IGBT類型:NPT
  14. 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  15. 電流-集電極(Ic)(最大值):20A
  16. 電流-集電極脈沖(Icm):30A
  17. 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):2.45V @ 15V,10A
  18. 功率-最大值:42W
  19. 開關(guān)能量:150μJ(開),50μJ(關(guān))
  20. 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
  21. 柵極電荷:37nC
  22. 25°C時(shí)Td(開/關(guān))值:8ns/52.2ns
  23. 測(cè)試條件:400V,10A,10 歐姆,15V
  24. 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):37.7ns
  25. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  26. 安裝類型:通孔
  27. 封裝:TO-220-3 整包
  28. 現(xiàn)在可以訂購(gòu)FGPF10N60UNDF,國(guó)內(nèi)庫(kù)存當(dāng)天發(fā)貨,國(guó)外庫(kù)存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
  29. ON代理商 - 安森美半導(dǎo)體(ON公司)授權(quán)的ON代理商
    ON芯片(安森美)全球現(xiàn)貨供應(yīng)鏈管理專家,ON代理商獨(dú)家渠道,提供最合理的總體采購(gòu)成本

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