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FGY60T120SQDN
產(chǎn)品參考圖片
FGY60T120SQDN
制造廠商:
ON(安森美,ONSEMI)
類別封裝:
晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-247-3
技術(shù)參數(shù):
IGBT 1200V 60A UFS
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技術(shù)參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:FGY60T120SQDN
制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,ONSEMI)
描述:IGBT 1200V 60A UFS
系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
產(chǎn)品系列:-
零件狀態(tài):有源
IGBT類型:-
電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
電流-集電極(Ic)(最大值):120A
電流-集電極脈沖(Icm):240A
不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,60A
功率-最大值:517W
開關(guān)能量:-
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:311nC
25°C時(shí)Td(開/關(guān))值:52ns/296ns
測試條件:600V,60A,10 歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間(trr):-
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝:TO-247-3
現(xiàn)在可以訂購
FGY60T120SQDN
,國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
NVMFD5C470NLWFT1G
CNY17F2SVM
NCP552SQ18T1
FSA266L8X
MC34166THG
FDP3632
MT9V013PACSTCHM-GEVB
MM74HC240MTC
MC10EP16TDTR2
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