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    FPF2C8P2NL07A 圖片
    FPF2C8P2NL07A
  1. 制造廠商:ON(安森美,ONSEMI)
  2. 類別封裝:晶體管 - IGBT - 模塊,封裝:F2 模塊
  3. 技術(shù)參數(shù):IGBT MODULE 650V 30A 135W F2
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    技術(shù)參數(shù)詳情:
  7. 制造商產(chǎn)品型號(hào):FPF2C8P2NL07A
  8. 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,ONSEMI)
  9. 描述:IGBT MODULE 650V 30A 135W F2
  10. 系列:晶體管 - IGBT - 模塊
  11. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  12. IGBT類型:場截止
  13. 配置:Three Phase
  14. 電壓-集射極擊穿(最大值):650V
  15. 電流-集電極(Ic)(最大值):30A
  16. 功率-最大值:135W
  17. 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,30A
  18. 電流-集電極截止(最大值):250μA
  19. 不同?Vce時(shí)輸入電容(Cies):-
  20. 輸入:標(biāo)準(zhǔn)
  21. NTC熱敏電阻:是
  22. 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  23. 安裝類型:底座安裝
  24. 封裝:F2 模塊
  25. 現(xiàn)在可以訂購FPF2C8P2NL07A,國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
  26. ON代理商 - 安森美半導(dǎo)體(ON公司)授權(quán)的ON代理商
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