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FQB34P10TM-F085P
產(chǎn)品參考圖片
FQB34P10TM-F085P
制造廠商:
ON(安森美,ONSEMI)
類別封裝:
晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:D2PAK(TO-263)
技術(shù)參數(shù):
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
(專注銷售ON電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當天發(fā)貨�。�
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技術(shù)參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:FQB34P10TM-F085P
制造商:ON安森美半導體(ON Semiconductor,ONSEMI)
描述:MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
產(chǎn)品系列:-
零件狀態(tài):有源
FET類型:P 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):100V
25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):33.5A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):60 毫歐 @ 16.75A,10V
不同Id時Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):110nC @ 10V
Vgs(最大值):±25V
不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):2910pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):3.75W(Ta),155W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
器件封裝:D2PAK(TO-263)
現(xiàn)在可以訂購
FQB34P10TM-F085P
,國內(nèi)庫存當天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
FDMC8026S
1SMA5940BT3
MOC3051FVM
74F823SC
100324SC
LM317MSTT3
CAT9554AHV4I-GT2
NCS20062DR2G
NCP1075STCT3G
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