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FQB7N20TM
產(chǎn)品參考圖片
FQB7N20TM
制造廠商:
ON(安森美,ONSEMI)
類別封裝:
晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè),器件封裝:D2PAK(TO-263AB)
技術(shù)參數(shù):
MOSFET N-CH 200V 6.6A D2PAK
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技術(shù)參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:FQB7N20TM
制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 200V 6.6A D2PAK
系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
產(chǎn)品系列:QFET?
零件狀態(tài):停產(chǎn)
FET類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):200V
25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):6.6A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):690 毫歐 @ 3.3A,10V
不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):10nC @ 10V
Vgs(最大值):±30V
不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):400pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):3.13W(Ta),63W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
器件封裝:D2PAK(TO-263AB)
現(xiàn)在可以訂購
FQB7N20TM
,國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
NTBV45N06LT4G
FOD2742CR1V
CPH3115-TL-E
NLVHC02ADR2G
DTA143EET1
KSE13003TH1ATU
RC1117M33
NV25320DWHFT3G
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