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FQD13N10LTM
產品參考圖片
FQD13N10LTM
制造廠商:
ON(安森美,ONSEMI)
類別封裝:
晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:D-Pak
技術參數(shù):
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
(專注銷售ON電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當天發(fā)貨�。�
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技術參數(shù)詳情:
制造商產品型號:FQD13N10LTM
制造商:ON安森美半導體(ON Semiconductor,ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
產品系列:QFET?
零件狀態(tài):有源
FET類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):100V
25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):10A(Tc)
驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):5V,10V
不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):180 毫歐 @ 5A,10V
不同Id時Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):12nC @ 5V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):520pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):2.5W(Ta),40W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
器件封裝:D-Pak
現(xiàn)在可以訂購
FQD13N10LTM
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NCV303LSN11T1G
FGB30N6S2T
NB3H63143G00MNG
MMBT4401WT1
MUN5316DW1T1
CS51031YD8
NIS5102QP2HT1
74LCX32SJX
FPN560A_D75Z
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