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FQP30N06
產(chǎn)品參考圖片
FQP30N06
制造廠商:
ON(安森美,ONSEMI)
類別封裝:
晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:TO-220-3
技術(shù)參數(shù):
MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
(專注銷售ON電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�
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技術(shù)參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:FQP30N06
制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
產(chǎn)品系列:QFET?
零件狀態(tài):有源
FET類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):60V
25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):30A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):40 毫歐 @ 15A,10V
不同Id時Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):25nC @ 10V
Vgs(最大值):±25V
不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):945pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):79W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
器件封裝:TO-220-3
現(xiàn)在可以訂購
FQP30N06
,國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
ESD7951ST5G
BC214_J35Z
LB11600JV-MPB-E
NSBA123JDXV6T1G
FEBFL7733A-L51U030A-GEVB
MC34166D2TG
CAT5241WI-50-T1
MC14067BCPG
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