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    ON代理商，安森美代理商
    

    

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    ON代理商 > > ON芯片 > > HGT1S10N120BNS
    

    

    

    產(chǎn)品參考圖片
    

    HGT1S10N120BNS 圖片
    

    

    

    

    HGT1S10N120BNS
    

  2. 制造廠商：ON（安森美，ONSEMI）
    3. 

  3. 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
    4. 

  4. 技術(shù)參數(shù)：IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
    5. 

  5. （專注銷售ON電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當天發(fā)貨�。�
    6. 

  6. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
    7. 

    

    

    

    點擊下圖下載技術(shù)文檔
    

    HGT1S10N120BNS的技術(shù)資料下載
    

    專營ON芯片半導體
    

    

    

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    技術(shù)參數(shù)詳情：
    

  7. 制造商產(chǎn)品型號：HGT1S10N120BNS
  8. 制造商：ON安森美半導體（ON Semiconductor，ONSEMI）
  9. 描述：IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
  10. 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  11. 產(chǎn)品系列：-
  12. 零件狀態(tài)：不適用於新設(shè)計
  13. IGBT類型：NPT
  14. 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
  15. 電流-集電極(Ic)（最大值）：35A
  16. 電流-集電極脈沖(Icm)：80A
  17. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，10A
  18. 功率-最大值：298W
  19. 開關(guān)能量：320μJ（開），800μJ（關(guān)）
  20. 輸入類型：標準
  21. 柵極電荷：100nC
  22. 25°C時Td（開/關(guān)）值：23ns/165ns
  23. 測試條件：960V，10A，10 歐姆，15V
  24. 反向恢復時間(trr)：-
  25. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  26. 安裝類型：表面貼裝型
  27. 封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
  28. 現(xiàn)在可以訂購HGT1S10N120BNS，國內(nèi)庫存當天發(fā)貨，國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
    29. 

    

    


    

    

    ON代理商 - 安森美半導體(ON公司)授權(quán)的ON代理商
    

    

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