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    ON代理商，安森美代理商
    

    

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    ON（安森美）
    

    

    


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    ON代理商 > > ON芯片 > > HGT1S20N36G3VL
    

    

    

    產(chǎn)品參考圖片
    

    HGT1S20N36G3VL 圖片
    

    

    

    

    HGT1S20N36G3VL
    

  2. 制造廠商：ON（安森美，ONSEMI）
    3. 

  3. 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
    4. 

  4. 技術(shù)參數(shù)：IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA
    5. 

  5. （專注銷售ON電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�
    6. 

  6. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
    7. 

    

    

    

    點擊下圖下載技術(shù)文檔
    

    HGT1S20N36G3VL的技術(shù)資料下載
    

    專營ON芯片半導(dǎo)體
    

    

    

    全方位電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)鏈管理解決方案，ON（安森美）授權(quán)中國代理商
    

    

    

    

    

    技術(shù)參數(shù)詳情：
    

  7. 制造商產(chǎn)品型號：HGT1S20N36G3VL
  8. 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，ONSEMI）
  9. 描述：IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA
  10. 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  11. 產(chǎn)品系列：-
  12. 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  13. IGBT類型：-
  14. 電壓-集射極擊穿（最大值）：395V
  15. 電流-集電極(Ic)（最大值）：37.7A
  16. 電流-集電極脈沖(Icm)：-
  17. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 5V，20A
  18. 功率-最大值：150W
  19. 開關(guān)能量：-
  20. 輸入類型：邏輯
  21. 柵極電荷：28.7nC
  22. 25°C時Td（開/關(guān)）值：-/15μs
  23. 測試條件：300V，10A，25歐姆，5V
  24. 反向恢復(fù)時間(trr)：-
  25. 工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
  26. 安裝類型：通孔
  27. 封裝：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
  28. 現(xiàn)在可以訂購HGT1S20N36G3VL，國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨，國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
    29. 

    

    


    

    

    ON代理商 - 安森美半導(dǎo)體(ON公司)授權(quán)的ON代理商
    

    

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