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HGT1S2N120CN
產(chǎn)品參考圖片
HGT1S2N120CN
制造廠商:
ON(安森美,ONSEMI)
類(lèi)別封裝:
晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA
技術(shù)參數(shù):
IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
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技術(shù)參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號(hào):HGT1S2N120CN
制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,ONSEMI)
描述:IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
產(chǎn)品系列:-
零件狀態(tài):停產(chǎn)
IGBT類(lèi)型:NPT
電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
電流-集電極(Ic)(最大值):13A
電流-集電極脈沖(Icm):20A
不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,2.6A
功率-最大值:104W
開(kāi)關(guān)能量:96μJ(開(kāi)),355μJ(關(guān))
輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:30nC
25°C時(shí)Td(開(kāi)/關(guān))值:25ns/205ns
測(cè)試條件:960V,2.6A,51 歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間(trr):-
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類(lèi)型:通孔
封裝:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA
現(xiàn)在可以訂購(gòu)
HGT1S2N120CN
,國(guó)內(nèi)庫(kù)存當(dāng)天發(fā)貨,國(guó)外庫(kù)存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
NCP1800DM42R2
MC7824CD2TR4
MMSZ13T1
CAT809MSDI-GT3
FDS9933BZ
FQA12N60
FOD4218SV
MC10H164MEL
MV57620
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