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    HGT1S2N120CN 圖片
    HGT1S2N120CN
  1. 制造廠商:ON(安森美,ONSEMI)
  2. 類(lèi)別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA
  3. 技術(shù)參數(shù):IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
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    技術(shù)參數(shù)詳情:
  7. 制造商產(chǎn)品型號(hào):HGT1S2N120CN
  8. 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,ONSEMI)
  9. 描述:IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
  10. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  11. 產(chǎn)品系列:-
  12. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  13. IGBT類(lèi)型:NPT
  14. 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
  15. 電流-集電極(Ic)(最大值):13A
  16. 電流-集電極脈沖(Icm):20A
  17. 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,2.6A
  18. 功率-最大值:104W
  19. 開(kāi)關(guān)能量:96μJ(開(kāi)),355μJ(關(guān))
  20. 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)
  21. 柵極電荷:30nC
  22. 25°C時(shí)Td(開(kāi)/關(guān))值:25ns/205ns
  23. 測(cè)試條件:960V,2.6A,51 歐姆,15V
  24. 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):-
  25. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  26. 安裝類(lèi)型:通孔
  27. 封裝:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA
  28. 現(xiàn)在可以訂購(gòu)HGT1S2N120CN,國(guó)內(nèi)庫(kù)存當(dāng)天發(fā)貨,國(guó)外庫(kù)存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
  29. ON代理商 - 安森美半導(dǎo)體(ON公司)授權(quán)的ON代理商
    ON芯片(安森美)全球現(xiàn)貨供應(yīng)鏈管理專(zhuān)家,ON代理商獨(dú)家渠道,提供最合理的總體采購(gòu)成本

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