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    產(chǎn)品參考圖片
    HGT1S7N60C3DS 圖片
    HGT1S7N60C3DS
  1. 制造廠商:ON(安森美,ONSEMI)
  2. 類(lèi)別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
  3. 技術(shù)參數(shù):IGBT 600V 14A 60W TO263AB
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  6. 點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
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    技術(shù)參數(shù)詳情:
  7. 制造商產(chǎn)品型號(hào):HGT1S7N60C3DS
  8. 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,ONSEMI)
  9. 描述:IGBT 600V 14A 60W TO263AB
  10. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  11. 產(chǎn)品系列:-
  12. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  13. IGBT類(lèi)型:-
  14. 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  15. 電流-集電極(Ic)(最大值):14A
  16. 電流-集電極脈沖(Icm):56A
  17. 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,7A
  18. 功率-最大值:60W
  19. 開(kāi)關(guān)能量:165μJ(開(kāi)),600μJ(關(guān))
  20. 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)
  21. 柵極電荷:23nC
  22. 25°C時(shí)Td(開(kāi)/關(guān))值:-
  23. 測(cè)試條件:480V,7A,50歐姆,15V
  24. 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):37ns
  25. 工作溫度:-
  26. 安裝類(lèi)型:表面貼裝型
  27. 封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
  28. 現(xiàn)在可以訂購(gòu)HGT1S7N60C3DS,國(guó)內(nèi)庫(kù)存當(dāng)天發(fā)貨,國(guó)外庫(kù)存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
  29. ON代理商 - 安森美半導(dǎo)體(ON公司)授權(quán)的ON代理商
    ON芯片(安森美)全球現(xiàn)貨供應(yīng)鏈管理專(zhuān)家,ON代理商獨(dú)家渠道,提供最合理的總體采購(gòu)成本

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