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    產(chǎn)品參考圖片
    HGTP10N120BN 圖片
    HGTP10N120BN
  1. 制造廠商:ON(安森美,ONSEMI)
  2. 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-220-3
  3. 技術(shù)參數(shù):IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
  4. (專注銷售ON電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨!)
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    技術(shù)參數(shù)詳情:
  7. 制造商產(chǎn)品型號(hào):HGTP10N120BN
  8. 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,ONSEMI)
  9. 描述:IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
  10. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  11. 產(chǎn)品系列:-
  12. 零件狀態(tài):不適用於新設(shè)計(jì)
  13. IGBT類型:NPT
  14. 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
  15. 電流-集電極(Ic)(最大值):35A
  16. 電流-集電極脈沖(Icm):80A
  17. 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,10A
  18. 功率-最大值:298W
  19. 開(kāi)關(guān)能量:320μJ(開(kāi)),800μJ(關(guān))
  20. 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
  21. 柵極電荷:100nC
  22. 25°C時(shí)Td(開(kāi)/關(guān))值:23ns/165ns
  23. 測(cè)試條件:960V,10A,10 歐姆,15V
  24. 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):-
  25. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  26. 安裝類型:通孔
  27. 封裝:TO-220-3
  28. 現(xiàn)在可以訂購(gòu)HGTP10N120BN,國(guó)內(nèi)庫(kù)存當(dāng)天發(fā)貨,國(guó)外庫(kù)存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
  29. ON代理商 - 安森美半導(dǎo)體(ON公司)授權(quán)的ON代理商
    ON芯片(安森美)全球現(xiàn)貨供應(yīng)鏈管理專家,ON代理商獨(dú)家渠道,提供最合理的總體采購(gòu)成本

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