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MMFT960T1G
產(chǎn)品參考圖片
MMFT960T1G
制造廠商:
ON(安森美,ONSEMI)
類別封裝:
晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè),器件封裝:SOT-223
技術(shù)參數(shù):
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
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技術(shù)參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號(hào):MMFT960T1G
制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT223
系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
產(chǎn)品系列:-
零件狀態(tài):停產(chǎn)
FET類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):60V
25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):300mA(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):1.7 歐姆 @ 1A,10V
不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA
不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):3.2nC @ 10V
Vgs(最大值):±30V
不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):65pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):800mW(Ta)
工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
器件封裝:SOT-223
現(xiàn)在可以訂購
MMFT960T1G
,國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
CAT5111VI-10-T3
74LVTH2240SJX
MC74AC32DR2G
MC100LVEL31DTR2
LB11693JH-TLM-E
CAT25080VI-G
NCP1247CD065R2G
IRF840B
MC33174DTBR2G
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