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MVB50P03HDLT4G
制造廠商：ON（安森美，ONSEMI）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：D2PAK-3
技術參數：MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK-3
（專注銷售ON電子元器件，承諾原裝！現貨當天發(fā)貨�。�
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技術參數詳情：
制造商產品型號：MVB50P03HDLT4G制造商：ON安森美半導體（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK-3系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產品系列：Automotive, AEC-Q101零件狀態(tài)：停產FET類型：P 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：30V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：50A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：25 毫歐 @ 25A，5V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：100nC @ 5VVgs（最大值）：±15V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：4.9nF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：125W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：D2PAK-3現在可以訂購MVB50P03HDLT4G，國內庫存當天發(fā)貨，國外庫存7-10天內發(fā)貨。
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