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    產品參考圖片
    NDC652P 圖片
    NDC652P
  1. 制造廠商:ON(安森美,ONSEMI)
  2. 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:SuperSOT?-6
  3. 技術參數:MOSFET P-CH 30V 2.4A SUPERSOT6
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    技術參數詳情:
  7. 制造商產品型號:NDC652P
  8. 制造商:ON安森美半導體(ON Semiconductor,ONSEMI)
  9. 描述:MOSFET P-CH 30V 2.4A SUPERSOT6
  10. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  11. 產品系列:-
  12. 零件狀態(tài):停產
  13. FET類型:P 通道
  14. 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  15. 漏源電壓(Vdss):30V
  16. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):2.4A(Ta)
  17. 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  18. 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):110 毫歐 @ 3.1A,10V
  19. 不同Id時Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
  20. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):20nC @ 10V
  21. Vgs(最大值):-20V
  22. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):290pF @ 15V
  23. FET功能:-
  24. 功率耗散(最大值):1.6W(Ta)
  25. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  26. 安裝類型:表面貼裝型
  27. 器件封裝:SuperSOT?-6
  28. 現在可以訂購NDC652P,國內庫存當天發(fā)貨,國外庫存7-10天內發(fā)貨。
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