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NDD60N900U1-35G
產(chǎn)品參考圖片
NDD60N900U1-35G
制造廠商:
ON(安森美,ONSEMI)
類別封裝:
晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè),器件封裝:I-PAK
技術(shù)參數(shù):
MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAK
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技術(shù)參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號(hào):NDD60N900U1-35G
制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAK
系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
產(chǎn)品系列:-
零件狀態(tài):停產(chǎn)
FET類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600V
25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):5.7A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):900 毫歐 @ 2.5A,10V
不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):12nC @ 10V
Vgs(最大值):±25V
不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):360pF @ 50V
FET功能:-
功率耗散(最大值):74W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:通孔
器件封裝:I-PAK
現(xiàn)在可以訂購(gòu)
NDD60N900U1-35G
,國(guó)內(nèi)庫(kù)存當(dāng)天發(fā)貨,國(guó)外庫(kù)存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
MC10EP446FA
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NB7L32MMNG
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LP2951ACN-3.0G
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