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    產品參考圖片
    NGTB10N60R2DT4G 圖片
    NGTB10N60R2DT4G
  1. 制造廠商:ON(安森美,ONSEMI)
  2. 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
  3. 技術參數(shù):IGBT 600V 20A DPAK
  4. (專注銷售ON電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當天發(fā)貨!)
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    技術參數(shù)詳情:
  7. 制造商產品型號:NGTB10N60R2DT4G
  8. 制造商:ON安森美半導體(ON Semiconductor,ONSEMI)
  9. 描述:IGBT 600V 20A DPAK
  10. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  11. 產品系列:-
  12. 零件狀態(tài):有源
  13. IGBT類型:-
  14. 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  15. 電流-集電極(Ic)(最大值):20A
  16. 電流-集電極脈沖(Icm):40A
  17. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,10A
  18. 功率-最大值:72W
  19. 開關能量:412μJ(開),140μJ(關)
  20. 輸入類型:標準
  21. 柵極電荷:53nC
  22. 25°C時Td(開/關)值:48ns/120ns
  23. 測試條件:300V,10A,30 歐姆,15V
  24. 反向恢復時間(trr):90ns
  25. 工作溫度:175°C(TJ)
  26. 安裝類型:表面貼裝型
  27. 封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
  28. 現(xiàn)在可以訂購NGTB10N60R2DT4G,國內庫存當天發(fā)貨,國外庫存7-10天內發(fā)貨。
  29. ON代理商 - 安森美半導體(ON公司)授權的ON代理商
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