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    NGTB15N60EG 圖片
    NGTB15N60EG
  1. 制造廠(chǎng)商:ON(安森美,ONSEMI)
  2. 類(lèi)別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-220-3
  3. 技術(shù)參數(shù):IGBT 600V 30A 117W TO220-3
  4. (專(zhuān)注銷(xiāo)售ON電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�
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    技術(shù)參數(shù)詳情:
  7. 制造商產(chǎn)品型號(hào):NGTB15N60EG
  8. 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,ONSEMI)
  9. 描述:IGBT 600V 30A 117W TO220-3
  10. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  11. 產(chǎn)品系列:-
  12. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  13. IGBT類(lèi)型:NPT
  14. 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  15. 電流-集電極(Ic)(最大值):30A
  16. 電流-集電極脈沖(Icm):120A
  17. 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,15A
  18. 功率-最大值:117W
  19. 開(kāi)關(guān)能量:900μJ(開(kāi)),300μJ(關(guān))
  20. 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)
  21. 柵極電荷:80nC
  22. 25°C時(shí)Td(開(kāi)/關(guān))值:78ns/130ns
  23. 測(cè)試條件:400V,15A,22 歐姆,15V
  24. 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):270ns
  25. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  26. 安裝類(lèi)型:通孔
  27. 封裝:TO-220-3
  28. 現(xiàn)在可以訂購(gòu)NGTB15N60EG,國(guó)內(nèi)庫(kù)存當(dāng)天發(fā)貨,國(guó)外庫(kù)存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
  29. ON代理商 - 安森美半導(dǎo)體(ON公司)授權(quán)的ON代理商
    ON芯片(安森美)全球現(xiàn)貨供應(yīng)鏈管理專(zhuān)家,ON代理商獨(dú)家渠道,提供最合理的總體采購(gòu)成本

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