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    NGTD21T65F2SWK
  1. 制造廠商:ON(安森美,ONSEMI)
  2. 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:模具
  3. 技術(shù)參數(shù):IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
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    技術(shù)參數(shù)詳情:
  7. 制造商產(chǎn)品型號:NGTD21T65F2SWK
  8. 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,ONSEMI)
  9. 描述:IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
  10. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  11. 產(chǎn)品系列:-
  12. 零件狀態(tài):有源
  13. IGBT類型:溝槽型場截止
  14. 電壓-集射極擊穿(最大值):650V
  15. 電流-集電極(Ic)(最大值):-
  16. 電流-集電極脈沖(Icm):200A
  17. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,45A
  18. 功率-最大值:-
  19. 開關(guān)能量:-
  20. 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
  21. 柵極電荷:-
  22. 25°C時Td(開/關(guān))值:-
  23. 測試條件:-
  24. 反向恢復(fù)時間(trr):-
  25. 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  26. 安裝類型:表面貼裝型
  27. 封裝:模具
  28. 現(xiàn)在可以訂購NGTD21T65F2SWK,國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
  29. ON代理商 - 安森美半導(dǎo)體(ON公司)授權(quán)的ON代理商
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