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NGTD23T120F2SWK
產(chǎn)品參考圖片
NGTD23T120F2SWK
制造廠商:
ON(安森美,ONSEMI)
類別封裝:
晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:模具
技術(shù)參數(shù):
IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
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技術(shù)參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:NGTD23T120F2SWK
制造商:ON安森美半導體(ON Semiconductor,ONSEMI)
描述:IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
產(chǎn)品系列:-
零件狀態(tài):有源
IGBT類型:溝槽型場截止
電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
電流-集電極(Ic)(最大值):-
電流-集電極脈沖(Icm):120A
不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,25A
功率-最大值:-
開關(guān)能量:-
輸入類型:標準
柵極電荷:-
25°C時Td(開/關(guān))值:-
測試條件:-
反向恢復時間(trr):-
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝:模具
現(xiàn)在可以訂購
NGTD23T120F2SWK
,國內(nèi)庫存當天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
FGA15N120FTDTU
NLV74HCT08ADTR2G
MAN3Y40
74ABT574CMTCX
MC74VHC259MG
NTLJS4D7N03HTAG
J177_D74Z
NCV8163AMX330TBG
IRL630A
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