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NSS40300DDR2G
產(chǎn)品參考圖片
NSS40300DDR2G
制造廠商:
ON(安森美,ONSEMI)
類別封裝:
晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 陣列,封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
技術參數(shù):
TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
(專注銷售ON電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當天發(fā)貨�。�
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技術參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:NSS40300DDR2G
制造商:ON安森美半導體(ON Semiconductor,ONSEMI)
描述:TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
系列:晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 陣列
零件狀態(tài):有源
晶體管類型:2 PNP(雙)
電流-集電極(Ic)(最大值):3A
電壓-集射極擊穿(最大值):40V
不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降(最大值):170mV @ 200mA,2A
電流-集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):180 @ 1A,2V
功率-最大值:653mW
頻率-躍遷:100MHz
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
現(xiàn)在可以訂購
NSS40300DDR2G
,國內(nèi)庫存當天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
MJL21195
LE24LA162CB-TE-F-H
NVTFS004N04CTAG
CAT3606HV4-T2
ASX350CS3C00SPEAH-GEVB
MPS6726
BD234STU
HMHA2801R1V
HLMPM301
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