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    NSVBC114EPDXV6T1G 圖片
    NSVBC114EPDXV6T1G
  1. 制造廠商:ON(安森美,ONSEMI)
  2. 類別封裝:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預偏置,封裝:SOT-563,SOT-666
  3. 技術參數:TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
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    技術參數詳情:
  7. 制造商產品型號:NSVBC114EPDXV6T1G
  8. 制造商:ON安森美半導體(ON Semiconductor,ONSEMI)
  9. 描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
  10. 系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預偏置
  11. 零件狀態(tài):有源
  12. 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
  13. 電流-集電極(Ic)(最大值):100mA
  14. 電壓-集射極擊穿(最大值):50V
  15. 電阻器-基極(R1):10 千歐
  16. 電阻器-發(fā)射極(R2):10 千歐
  17. 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):35 @ 5mA,10V
  18. 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降(最大值):250mV @ 300μA,10mA
  19. 電流-集電極截止(最大值):500nA
  20. 頻率-躍遷:-
  21. 功率-最大值:500mW
  22. 安裝類型:表面貼裝型
  23. 封裝:SOT-563,SOT-666
  24. 現在可以訂購NSVBC114EPDXV6T1G,國內庫存當天發(fā)貨,國外庫存7-10天內發(fā)貨。
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