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NSVIMD10AMT1G
產(chǎn)品參考圖片
NSVIMD10AMT1G
制造廠商:
ON(安森美,ONSEMI)
類別封裝:
晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預偏置,封裝:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
技術(shù)參數(shù):
SURF MT BIASED RES XSTR
(專注銷售ON電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當天發(fā)貨�。�
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技術(shù)參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:NSVIMD10AMT1G
制造商:ON安森美半導體(ON Semiconductor,ONSEMI)
描述:SURF MT BIASED RES XSTR
系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 陣列 - 預偏置
零件狀態(tài):有源
晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
電流-集電極(Ic)(最大值):500mA
電壓-集射極擊穿(最大值):50V
電阻器-基極(R1):13 千歐,130 歐姆
電阻器-發(fā)射極(R2):10 千歐
不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V / 68 @ 100mA,5V
不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降(最大值):300mV @ 1mA,10mA
電流-集電極截止(最大值):500nA
頻率-躍遷:-
功率-最大值:285mW
安裝類型:表面貼裝型
封裝:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
現(xiàn)在可以訂購
NSVIMD10AMT1G
,國內(nèi)庫存當天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
NCV303LSN17T1G
MM74HCT245SJ
MMBTA06WT1G
2SB1124S-TD-H
KA2803CDTF
MAC4DLMT4G
MM74HC541WM
FQB13N10LTM
MC100EP195BMNG
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