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    ON代理商，安森美代理商
    

    

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    ON（安森美）
    

    

    


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    ON代理商 > > ON芯片 > > NSVMUN5211DW1T2G
    

    

    

    產(chǎn)品參考圖片
    

    NSVMUN5211DW1T2G 圖片
    

    

    

    

    NSVMUN5211DW1T2G
    

  2. 制造廠商：ON（安森美，ONSEMI）
    3. 

  3. 類別封裝：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置，封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
    4. 

  4. 技術(shù)參數(shù)：TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    5. 

  5. （專注銷售ON電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�
    6. 

  6. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購）
    7. 

    

    

    

    點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
    

    NSVMUN5211DW1T2G的技術(shù)資料下載
    

    專營ON芯片半導(dǎo)體
    

    

    

    全方位電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)鏈管理解決方案，ON（安森美）授權(quán)中國代理商
    

    

    

    

    

    技術(shù)參數(shù)詳情：
    

  7. 制造商產(chǎn)品型號(hào)：NSVMUN5211DW1T2G
  8. 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，ONSEMI）
  9. 描述：TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
  10. 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置
  11. 零件狀態(tài)：有源
  12. 晶體管類型：2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式（雙）
  13. 電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
  14. 電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
  15. 電阻器-基極(R1)：10 千歐
  16. 電阻器-發(fā)射極(R2)：10 千歐
  17. 不同?Ic、Vce?時(shí)DC電流增益(hFE)（最小值）：35 @ 5mA，10V
  18. 不同?Ib、Ic時(shí)?Vce飽和壓降（最大值）：250mV @ 300μA，10mA
  19. 電流-集電極截止（最大值）：500nA
  20. 頻率-躍遷：-
  21. 功率-最大值：385mW
  22. 安裝類型：表面貼裝型
  23. 封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  24. 現(xiàn)在可以訂購NSVMUN5211DW1T2G，國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨，國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
    25. 

    

    


    

    

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