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NTB30N06LT4
產(chǎn)品參考圖片
NTB30N06LT4
制造廠商:
ON(安森美,ONSEMI)
類別封裝:
晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:D2PAK
技術(shù)參數(shù):
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
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技術(shù)參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:NTB30N06LT4
制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
產(chǎn)品系列:-
零件狀態(tài):停產(chǎn)
FET類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):60V
25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):30A(Ta)
驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):5V
不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):46 毫歐 @ 15A,5V
不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):32nC @ 5V
Vgs(最大值):±15V
不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):1150pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):88.2W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
器件封裝:D2PAK
現(xiàn)在可以訂購
NTB30N06LT4
,國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
LV8406T-TLM-E
CAT810JTBI-GT3
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