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    ON代理商，安森美代理商
    

    

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    ON（安森美）
    

    

    


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    ON代理商 > > ON芯片 > > NTMFD1D4N02P1E
    

    

    

    產(chǎn)品參考圖片
    

    NTMFD1D4N02P1E 圖片
    

    

    

    

    NTMFD1D4N02P1E
    

  2. 制造廠商：ON（安森美，ONSEMI）
    3. 

  3. 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerWDFN
    4. 

  4. 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 8PQFN
    5. 

  5. （專注銷售ON電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當天發(fā)貨�。�
    6. 

  6. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購）
    7. 

    

    

    

    點擊下圖下載技術(shù)文檔
    

    NTMFD1D4N02P1E的技術(shù)資料下載
    

    專營ON芯片半導(dǎo)體
    

    

    

    全方位電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)鏈管理解決方案，ON（安森美）授權(quán)中國代理商
    

    

    

    

    

    技術(shù)參數(shù)詳情：
    

  7. 制造商產(chǎn)品型號：NTMFD1D4N02P1E
  8. 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，ONSEMI）
  9. 描述：MOSFET N-CH 20V 8PQFN
  10. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
  11. 產(chǎn)品系列：-
  12. 零件狀態(tài)：有源
  13. FET類型：2 N 溝道（雙）非對稱型
  14. FET功能：標準
  15. 漏源電壓（Vdss）：25V
  16. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：13A（Ta），74A（Tc），24A（Ta），155A（Tc）
  17. 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：3.3 毫歐 @ 20A，10V，1.1 毫歐 @ 37A，10V
  18. 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA，2V @ 800μA
  19. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：7.2nC @ 4.5V，21.5nC @ 4.5V
  20. 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1180pF @ 13V，3603pF @ 13V
  21. 功率-最大值：960mW（Ta），1W（Ta）
  22. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  23. 安裝類型：表面貼裝型
  24. 封裝：8-PowerWDFN
  25. 現(xiàn)在可以訂購NTMFD1D4N02P1E，國內(nèi)庫存當天發(fā)貨，國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
    26. 

    

    


    

    

    ON代理商 - 安森美半導(dǎo)體(ON公司)授權(quán)的ON代理商
    

    

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