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    產(chǎn)品參考圖片
    NTMTSC1D6N10MCTXG 圖片
    NTMTSC1D6N10MCTXG
  1. 制造廠商:ON(安森美,ONSEMI)
  2. 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè),器件封裝:8-TDFNW(8.3x8.4)
  3. 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
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    技術(shù)參數(shù)詳情:
  7. 制造商產(chǎn)品型號(hào):NTMTSC1D6N10MCTXG
  8. 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,ONSEMI)
  9. 描述:MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
  10. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  11. 產(chǎn)品系列:-
  12. 零件狀態(tài):有源
  13. FET類型:N 通道
  14. 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  15. 漏源電壓(Vdss):100V
  16. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):35A(Ta),267A(Tc)
  17. 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):-
  18. 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):1.7 毫歐 @ 90A,10V
  19. 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):4V @ 650μA
  20. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):106nC @ 10V
  21. Vgs(最大值):±20V
  22. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):7630pF @ 50V
  23. FET功能:-
  24. 功率耗散(最大值):5.1W(Ta),291W(Tc)
  25. 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  26. 安裝類型:表面貼裝型
  27. 器件封裝:8-TDFNW(8.3x8.4)
  28. 現(xiàn)在可以訂購(gòu)NTMTSC1D6N10MCTXG,國(guó)內(nèi)庫(kù)存當(dāng)天發(fā)貨,國(guó)外庫(kù)存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
  29. ON代理商 - 安森美半導(dǎo)體(ON公司)授權(quán)的ON代理商
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