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    ON代理商，安森美代理商
    

    

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    ON代理商 > > ON芯片 > > NVMD4N03R2G
    

    

    

    產(chǎn)品參考圖片
    

    NVMD4N03R2G 圖片
    

    

    

    

    NVMD4N03R2G
    

  2. 制造廠商：ON（安森美，ONSEMI）
    3. 

  3. 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
    4. 

  4. 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL
    5. 

  5. （專注銷售ON電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨！）
    6. 

  6. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購）
    7. 

    

    

    

    點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
    

    NVMD4N03R2G的技術(shù)資料下載
    

    專營ON芯片半導(dǎo)體
    

    

    

    全方位電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)鏈管理解決方案，ON（安森美）授權(quán)中國代理商
    

    

    

    

    

    技術(shù)參數(shù)詳情：
    

  7. 制造商產(chǎn)品型號(hào)：NVMD4N03R2G
  8. 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，ONSEMI）
  9. 描述：MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL
  10. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
  11. 產(chǎn)品系列：-
  12. 零件狀態(tài)：有源
  13. FET類型：2 N-通道（雙）
  14. FET功能：邏輯電平門
  15. 漏源電壓（Vdss）：30V
  16. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：4A
  17. 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：60 毫歐 @ 4A，10V
  18. 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
  19. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：16nC @ 10V
  20. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：400pF @ 20V
  21. 功率-最大值：2W
  22. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  23. 安裝類型：表面貼裝型
  24. 封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
  25. 現(xiàn)在可以訂購NVMD4N03R2G，國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨，國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
    26. 

    

    


    

    

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