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    NXH35C120L2C2S1G 圖片
    NXH35C120L2C2S1G
  1. 制造廠商:ON(安森美,ONSEMI)
  2. 類別封裝:晶體管 - IGBT - 模塊,封裝:26-PowerDIP 模塊(1,199,47,20mm)
  3. 技術(shù)參數(shù):IGBT MOD 1200V 35A 26DIP
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    技術(shù)參數(shù)詳情:
  7. 制造商產(chǎn)品型號(hào):NXH35C120L2C2S1G
  8. 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,ONSEMI)
  9. 描述:IGBT MOD 1200V 35A 26DIP
  10. 系列:晶體管 - IGBT - 模塊
  11. 零件狀態(tài):有源
  12. IGBT類型:-
  13. 配置:三相反相器,帶制動(dòng)器
  14. 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
  15. 電流-集電極(Ic)(最大值):35A
  16. 功率-最大值:20mW
  17. 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,35A
  18. 電流-集電極截止(最大值):250μA
  19. 不同?Vce時(shí)輸入電容(Cies):8.33nF @ 20V
  20. 輸入:三相橋式整流器
  21. NTC熱敏電阻:是
  22. 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  23. 安裝類型:通孔
  24. 封裝:26-PowerDIP 模塊(1,199,47,20mm)
  25. 現(xiàn)在可以訂購NXH35C120L2C2S1G,國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
  26. ON代理商 - 安森美半導(dǎo)體(ON公司)授權(quán)的ON代理商
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