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WPB4002-1E
產(chǎn)品參考圖片
WPB4002-1E
制造廠商:
ON(安森美,ONSEMI)
類(lèi)別封裝:
晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè),器件封裝:TO-3P-3L
技術(shù)參數(shù):
MOSFET N-CH 600V 23A TO3P-3L
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技術(shù)參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號(hào):WPB4002-1E
制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,ONSEMI)
描述:MOSFET N-CH 600V 23A TO3P-3L
系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
產(chǎn)品系列:-
零件狀態(tài):停產(chǎn)
FET類(lèi)型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600V
25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):23A(Ta)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):360 毫歐 @ 11.5A,10V
不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):-
不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):84nC @ 10V
Vgs(最大值):±30V
不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):2200pF @ 30V
FET功能:-
功率耗散(最大值):2.5W(Ta),220W(Tc)
工作溫度:150°C(TJ)
安裝類(lèi)型:通孔
器件封裝:TO-3P-3L
現(xiàn)在可以訂購(gòu)
WPB4002-1E
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BD13510S
MC74HC368ADG
74LVTH374MTCX
MJD117-1G
NCV887301D1R2G
74ABT16374CSSC
MMBZ5241BLT1
FDMS7656AS
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